MN2510 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MN2510  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-3P

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MN2510

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MN2510 даташит

 ..1. Size:68K  utc
 mn2510.pdf pdf_icon

MN2510

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MN2510 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MN2510 is an NPN transistor, it uses UTC s advanced technology to provide the customers with high DC current gain and high collector-emitter breakdown voltage, etc. The UTC MN2510 is suitable for automobile power amplifiers, etc. FEATURES * High DC

Другие транзисторы: 2SD882S, 8050S, D882SS, HE8051, MMBT1815, MMBT9013, MMBT9014, MMBT945, 2SA1943, 2SA928A, 2SB772S, 8550S, B772SS, HE8551, MMBT1015, MMBT9012, MMBT9015