HE8551 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HE8551  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO-92NL TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HE8551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HE8551 даташит

 ..1. Size:182K  utc
 he8551.pdf pdf_icon

HE8551

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8551 PNP SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR 1 TO-92 DESCRIPTION The UTC HE8551 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. 1 FEATURES TO-92NL * Collector current up to 1.5A * Coll

 9.1. Size:213K  utc
 he8550.pdf pdf_icon

HE8551

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8550 PNP SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. FEATURES * Collector Current up to 1.5A * Collector-Emitter Volt

 9.2. Size:21K  utc
 he8550l.pdf pdf_icon

HE8551

UTC HE8550 PNP EPITAXIAL SILIC ON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. 1 FEATURES *Collector current up to 1.5A *Collector-Emitter voltage up to 25 V *Complimentary to

 9.3. Size:46K  hsmc
 he8550.pdf pdf_icon

HE8551

Spec. No. HE6114 HI-SINCERITY Issued Date 1992.09.30 Revised Date 2006.07.28 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HE8550 PNP Epitaxial Planar Transistor Description The HE8550 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature................................

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT9013, MMBT9014, MMBT945, MN2510, 2SA928A, 2SB772S, 8550S, B772SS, TIP3055, MMBT1015, MMBT9012, MMBT9015, MP2510, MPSA92M, DTA113T, DTA114E, DTA114T