Справочник транзисторов. HE8551

 

Биполярный транзистор HE8551 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HE8551
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO-92NL TO-92
 

 Аналог (замена) для HE8551

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HE8551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  utc
he8551.pdfpdf_icon

HE8551

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8551 PNP SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR 1TO-92 DESCRIPTION The UTC HE8551 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. 1 FEATURES TO-92NL* Collector current up to 1.5A * Coll

 9.1. Size:213K  utc
he8550.pdfpdf_icon

HE8551

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8550 PNP SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. FEATURES * Collector Current up to 1.5A * Collector-Emitter Volt

 9.2. Size:21K  utc
he8550l.pdfpdf_icon

HE8551

UTC HE8550 PNP EPITAXIAL SILIC ON TRANSISTORLOW VOLTAGE HIGH CURRENTSMALL SIGNAL PNP TRANSISTORDESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current smallsignal PNP transistor, designed for Class B push-pull2W audio amplifier for portable radio and general purposeapplications.1FEATURES*Collector current up to 1.5A*Collector-Emitter voltage up to 25 V*Complimentary to

 9.3. Size:46K  hsmc
he8550.pdfpdf_icon

HE8551

Spec. No. : HE6114HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.30Revised Date : 2006.07.28MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HE8550PNP Epitaxial Planar TransistorDescriptionThe HE8550 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pulloperation. TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature................................

Другие транзисторы... MMBT9013 , MMBT9014 , MMBT945 , MN2510 , 2SA928A , 2SB772S , 8550S , B772SS , 13009 , MMBT1015 , MMBT9012 , MMBT9015 , MP2510 , MPSA92M , DTA113T , DTA114E , DTA114T .

 

 
Back to Top

 


 
.