BUL6802 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BUL6802 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO126 TO126S
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для BUL6802
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUL6802 даташит
bul6802.pdf
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN BUL /BUL SERIES TRANSISTORS BUL6802 NPN BUL /BUL SERIES TRANSISTORS BUL6802 NPN
bul68a.pdf
BUL68A SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE 2.18 (0.086) 2.44 (0.096) 6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN 6.78 (0.267) 5.21 (0.205) 0.84 (0.033) 5.46 (0.215) 0.94 (0.037) SILICON POWER TRANSISTOR 1.09 (0.043) 1.30 (0.051) Designed for use in 5.97 (0.235) 6.22 (0.245) electronic ballast applications 1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND
bul68b.pdf
BUL68B SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE 2.18 (0.086) 2.44 (0.096) 6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN 6.78 (0.267) 5.21 (0.205) 0.84 (0.033) 5.46 (0.215) 0.94 (0.037) SILICON POWER TRANSISTOR 1.09 (0.043) 1.30 (0.051) Designed for use in 5.97 (0.235) 6.22 (0.245) electronic ballast applications 1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND
bul6825.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon Power Transistors BUL6825 DESCRIPTION High voltage ,high speed With TO-220C package APPLICATIONS Relay drivers Inverters Switching regulators Deflection circuits PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 emitter LIMITING VALUES SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Co
Другие транзисторы: DTC143T, DTC143X, DTC143Z, DTC144E, DTC144T, DTD113Z, DTD114E, DTD143E, 2222A, BUL6821, BUL6822, BUL6822A, BUL6823, BUL6823A, MJE13003BR, MJE13003BRH, 2SB1334A
History: CS3404
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet










