BLD122D datasheet, аналоги, параметры транзистора

BLD122D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLD122D 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO126 TO126S TO92 TO92S SOT89

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для BLD122D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

BLD122D даташит

..1. Size:632K sisemi
bld122d.pdf pdf_icon

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD122D NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD122D NPN D / D

0.1. Size:554K sisemi
bld122dl.pdf pdf_icon

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN / L SERIES TRANSISTORS BLD122DL NPN / L SERIES TRANSISTORS BLD122DL NPN /

9.1. Size:307K sisemi
bld128da 1.pdf pdf_icon