BLD128DA datasheet, аналоги, параметры транзистора

BLD128DA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BLD128DA 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220 TO220S SOT82 SOT82S

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для BLD128DA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

BLD128DA даташит

..1. Size:307K sisemi
bld128da 1.pdf pdf_icon

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD128DA NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD128DA NPN D /

..2. Size:233K sisemi
bld128da.pdf pdf_icon