BLD155DL - описание и поиск аналогов

 

BLD155DL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLD155DL

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220 TO220S

 Аналоги (замена) для BLD155DL

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLD155DL даташит

 ..1. Size:210K  sisemi
 bld155dl.pdf pdf_icon

BLD155DL

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN / L SERIES TRANSISTORS BLD155DL NPN / L SERIES TRANSISTORS BLD155DL NPN /

Другие транзисторы... BLD133DL , BLD135D , BLD135DH , BLD135DL , BLD137D , BLD137DL , BLD139D , BLD139DL , BD222 , BLDB128D , BUL68H5T , MJE13001AH , MJE13001H , MJE13002AHT , MJE13003HT , LB120A3 , 2N4401A3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.