BUL68H5T - описание и поиск аналогов

 

BUL68H5T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUL68H5T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO220 TO220FP TO251 TO251S TO252

 Аналоги (замена) для BUL68H5T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL68H5T даташит

 ..1. Size:263K  sisemi
 bul68h5t.pdf pdf_icon

BUL68H5T

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification MJE /MJE SERIES TRANSISTORS BUL68H5T MJE /MJE SERIES TRANSISTORS BUL68H5T MJE /MJE

 9.1. Size:14K  semelab
 bul68a.pdf pdf_icon

BUL68H5T

BUL68A SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE 2.18 (0.086) 2.44 (0.096) 6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN 6.78 (0.267) 5.21 (0.205) 0.84 (0.033) 5.46 (0.215) 0.94 (0.037) SILICON POWER TRANSISTOR 1.09 (0.043) 1.30 (0.051) Designed for use in 5.97 (0.235) 6.22 (0.245) electronic ballast applications 1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND

 9.2. Size:14K  semelab
 bul68b.pdf pdf_icon

BUL68H5T

BUL68B SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE 2.18 (0.086) 2.44 (0.096) 6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN 6.78 (0.267) 5.21 (0.205) 0.84 (0.033) 5.46 (0.215) 0.94 (0.037) SILICON POWER TRANSISTOR 1.09 (0.043) 1.30 (0.051) Designed for use in 5.97 (0.235) 6.22 (0.245) electronic ballast applications 1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND

 9.3. Size:84K  jmnic
 bul6825.pdf pdf_icon

BUL68H5T

Product Specification www.jmnic.com Silicon Power Transistors BUL6825 DESCRIPTION High voltage ,high speed With TO-220C package APPLICATIONS Relay drivers Inverters Switching regulators Deflection circuits PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 emitter LIMITING VALUES SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BLD135DH, BLD135DL, BLD137D, BLD137DL, BLD139D, BLD139DL, BLD155DL, BLDB128D, 2SC5200, MJE13001AH, MJE13001H, MJE13002AHT, MJE13003HT, LB120A3, 2N4401A3, 2N4403A3, BC517A3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.