Справочник транзисторов. BUL68H5T

 

Биполярный транзистор BUL68H5T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUL68H5T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO220 TO220FP TO251 TO251S TO252
 

 Аналог (замена) для BUL68H5T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL68H5T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  sisemi
bul68h5t.pdfpdf_icon

BUL68H5T

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationMJE /MJE SERIES TRANSISTORS BUL68H5TMJE /MJE SERIES TRANSISTORS BUL68H5TMJE /MJE

 9.1. Size:14K  semelab
bul68a.pdfpdf_icon

BUL68H5T

BUL68ASEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGE2.18 (0.086)2.44 (0.096)6.40 (0.252)HIGH SPEED NPN6.78 (0.267)5.21 (0.205) 0.84 (0.033)5.46 (0.215) 0.94 (0.037)SILICON POWER TRANSISTOR1.09 (0.043)1.30 (0.051)Designed for use in 5.97 (0.235)6.22 (0.245)electronic ballast applications1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND

 9.2. Size:14K  semelab
bul68b.pdfpdf_icon

BUL68H5T

BUL68BSEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGE2.18 (0.086)2.44 (0.096)6.40 (0.252)HIGH SPEED NPN6.78 (0.267)5.21 (0.205) 0.84 (0.033)5.46 (0.215) 0.94 (0.037)SILICON POWER TRANSISTOR1.09 (0.043)1.30 (0.051)Designed for use in 5.97 (0.235)6.22 (0.245)electronic ballast applications1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND

 9.3. Size:84K  jmnic
bul6825.pdfpdf_icon

BUL68H5T

Product Specification www.jmnic.com Silicon Power Transistors BUL6825 DESCRIPTION High voltage ,high speed With TO-220C package APPLICATIONS Relay drivers Inverters Switching regulators Deflection circuits PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 emitterLIMITING VALUES SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Co

Другие транзисторы... BLD135DH , BLD135DL , BLD137D , BLD137DL , BLD139D , BLD139DL , BLD155DL , BLDB128D , BD139 , MJE13001AH , MJE13001H , MJE13002AHT , MJE13003HT , LB120A3 , 2N4401A3 , 2N4403A3 , BC517A3 .

History: 2SAB25 | 2SC5101

 

 
Back to Top

 


 
.