Справочник транзисторов. BTA1514N3

 

Биполярный транзистор BTA1514N3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BTA1514N3
   Маркировка: 2L
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BTA1514N3

 

 

BTA1514N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  cystek
bta1514n3.pdf

BTA1514N3
BTA1514N3

Spec. No. : C307N3 Issued Date : 2003.06.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.15 Page No. : 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -160VBTA1514N3IC -0.6AVCESAT(MAX) -0.3VDescription The BTA1514N3 is designed for general purpose application requiring high breakdown voltage. Large IC , IC( Max) = -0.6A High BVCEO, BVCEO= -16

 7.1. Size:158K  cystek
bta1514m3.pdf

BTA1514N3
BTA1514N3

Spec. No. : C307M3 Issued Date : 2007.01.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/5 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1514M3Description The BTA1514M3 is designed for general purpose application requiring high breakdown voltage. Large IC , IC( Max) = -0.6A High BVCEO, BVCEO= -150V Complementary to BTC3906M3. Pb-free pac

 9.1. Size:266K  cystek
bta1576s3.pdf

BTA1514N3
BTA1514N3

Spec. No. : C306S3 Issued Date : 2002.05.11 Revised Date : 2014.01.24 CYStech Electronics Corp. Page No. : 1/7 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1576S3 Description The BTA1576S3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Excellent h linearity FE Complementary to BTC4081S3. Pb-free lead plating

 9.2. Size:268K  cystek
bta1542n3.pdf

BTA1514N3
BTA1514N3

Spec. No. : C599N3 Issued Date : 2005.12.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.11.29 Page No. : 1/8 PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1542N3 Features Large current capability Low collector-to-emitter saturation voltage High speed switching Ultra small package facilitates miniaturization in end products High allowable power dissipation

 9.3. Size:253K  cystek
bta1579s3.pdf

BTA1514N3
BTA1514N3

Spec. No. : C307S3 Issued Date : 2003.06.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.09.20 Page No. : 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1579S3Description The BTP1579S3 is designed for high voltage amplification application. High BVCEO, BVCEO= -160V Complementary to BTC4102S3. Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol O

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top