Биполярный транзистор BTA1579S3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTA1579S3
Маркировка: 2L
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SOT323
Аналоги (замена) для BTA1579S3
BTA1579S3 Datasheet (PDF)
bta1579s3.pdf
Spec. No. : C307S3 Issued Date : 2003.06.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.09.20 Page No. : 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1579S3Description The BTP1579S3 is designed for high voltage amplification application. High BVCEO, BVCEO= -160V Complementary to BTC4102S3. Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol O
bta1576s3.pdf
Spec. No. : C306S3 Issued Date : 2002.05.11 Revised Date : 2014.01.24 CYStech Electronics Corp. Page No. : 1/7 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1576S3 Description The BTA1576S3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Excellent h linearity FE Complementary to BTC4081S3. Pb-free lead plating
bta1514m3.pdf
Spec. No. : C307M3 Issued Date : 2007.01.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/5 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1514M3Description The BTA1514M3 is designed for general purpose application requiring high breakdown voltage. Large IC , IC( Max) = -0.6A High BVCEO, BVCEO= -150V Complementary to BTC3906M3. Pb-free pac
bta1542n3.pdf
Spec. No. : C599N3 Issued Date : 2005.12.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.11.29 Page No. : 1/8 PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1542N3 Features Large current capability Low collector-to-emitter saturation voltage High speed switching Ultra small package facilitates miniaturization in end products High allowable power dissipation
bta1514n3.pdf
Spec. No. : C307N3 Issued Date : 2003.06.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.15 Page No. : 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -160VBTA1514N3IC -0.6AVCESAT(MAX) -0.3VDescription The BTA1514N3 is designed for general purpose application requiring high breakdown voltage. Large IC , IC( Max) = -0.6A High BVCEO, BVCEO= -16
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050