BTA1640I3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTA1640I3

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для BTA1640I3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTA1640I3 даташит

 ..1. Size:220K  cystek
 bta1640i3.pdf pdf_icon

BTA1640I3

Spec. No. C657I3 Issued Date 2007.04.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.03.23 Page No. 1/5 PNP Epitaxial Planar Power Transistor BVCEO -30V IC -7A BTA1640I3 RCESAT 70m Features Low collector-emitter saturation voltage, VCE(sat) = -0.4V(max) @ IC = -3A, IB=-0.15A Excellent current gain linearity RoHS compliant package Symbol Outline TO

 7.1. Size:241K  cystek
 bta1640f3.pdf pdf_icon

BTA1640I3

Spec. No. C657F3 Issued Date 2010.09.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 PNP Epitaxial Planar Power Transistor BVCEO -30V IC -7A BTA1640F3 VCE(SAT) -0.4V(max) Features Low collector-emitter saturation voltage, VCE(sat) = -0.4V(max) @ IC = -3A, IB=-0.1A Excellent current gain linearity Pb-free lead plating package Symbol Outline

 7.2. Size:230K  cystek
 bta1640t3.pdf pdf_icon

BTA1640I3

Spec. No. C657T3 Issued Date 2011.02.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.06.14 Page No. 1/5 PNP Epitaxial Planar Power Transistor BVCEO -30V IC -7A BTA1640T3 RCESAT 70m (typ.) Features Low collector-emitter saturation voltage, VCE(sat) = -0.4V(max) @ IC = -3A, IB=-0.1A. Excellent current gain linearity. RoHS compliant package. Symbol Outl

 7.3. Size:174K  cystek
 bta1640fp.pdf pdf_icon

BTA1640I3

Spec. No. C657FP Issued Date 2004.09.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.09.16 Page No. 1/4 PNP Epitaxial Planar Power Transistor BTA1640FP Features Low collector-emitter saturation voltage, VCE(sat) = -0.4V(max) @ IC = -3A, IB=-0.1A Excellent current gain linearity Pb-free package Symbol Outline TO-220FP BTA1640FP B Base C Collecto

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTA1300A3, BTA1514M3, BTA1514N3, BTA1542N3, BTA1576S3, BTA1579S3, BTA1640F3, BTA1640FP, B772, BTA1640J3, BTA1640T3, BTA1664L3, BTA1664M3, BTA1721N3, BTA1727L3, BTA1759A3, BTA1759N3