BTA1664M3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BTA1664M3
Маркировка: BA
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 19 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для BTA1664M3
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BTA1664M3 даташит
bta1664m3.pdf
Spec. No. C315M3 Issued Date 2005.01.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.02.14 Page No. 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1664M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.24V (typical), at IC / IB =- 500mA /- 20mA Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTA1664M3 SOT-89 B Base B C E C Collector E Emitte
bta1664l3.pdf
Spec. No. C315L3 Issued Date 2008.03.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.09.06 Page No. 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1664L3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.24V (typical), at IC / IB =- 500mA /- 20mA Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTA1664L3 SOT-223 C E B Base C C Collector B E Em
btb16 btb16 bta16.pdf
BTA/BTB16 and T16 Series SNUBBERLESS , LOGIC LEVEL & STANDARD 16A TRIACS MAIN FEATURES A2 Symbol Value Unit G IT(RMS) 16 A A1 VDRM/VRRM 600, 700 and 800 V A2 IGT (Q1) 10 to 50 mA A1 A2 DESCRIPTION G Available either in through-hole or surface-mount packages, the BTA/BTB16 and T16 triac series is D2PAK (T16-G) suitable for general purpose AC switching. They A2 can
bta1640f3.pdf
Spec. No. C657F3 Issued Date 2010.09.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 PNP Epitaxial Planar Power Transistor BVCEO -30V IC -7A BTA1640F3 VCE(SAT) -0.4V(max) Features Low collector-emitter saturation voltage, VCE(sat) = -0.4V(max) @ IC = -3A, IB=-0.1A Excellent current gain linearity Pb-free lead plating package Symbol Outline
Другие транзисторы: BTA1576S3, BTA1579S3, BTA1640F3, BTA1640FP, BTA1640I3, BTA1640J3, BTA1640T3, BTA1664L3, BD135, BTA1721N3, BTA1727L3, BTA1759A3, BTA1759N3, BTA1774C3, BTA1797M3, BTA1900M3, BTA1952E3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198









