BTA2029Y3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BTA2029Y3
Маркировка: FR_FS
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180
Корпус транзистора: SOT723
Аналоги (замена) для BTA2029Y3
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BTA2029Y3 даташит
bta2029y3.pdf
Spec. No. C306Y3 Issued Date 2011.11.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.11.04 Page No. 1/7 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA2029Y3 Description The BTA2029Y3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. High HFE and excellent linearity Complementary to BTC5658Y3. Pb-free package
mmbta20l.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBTA20LT1/D General Purpose Amplifier MMBTA20LT1 NPN Silicon COLLECTOR 3 1 3 BASE 1 2 2 EMITTER CASE 318 08, STYLE 6 MAXIMUM RATINGS SOT 23 (TO 236AB) Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 4.0 Vdc Collector Current Continuous IC 100 mAdc THERMAL C
smbta20.pdf
NPN Silicon AF Transistor SMBTA 20 High DC current gain Low collector-emitter saturation voltage Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 SMBTA 20 s1C Q6800-A6477 B E C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE0 40 V Emitter-base voltage VEB0 4 Collector current IC 100 mA Peak collector current ICM 200 Pea
mmbta20lt1.pdf
MMBTA20LT1 General Purpose Amplifier NPN Silicon Features Pb-Free Package is Available http //onsemi.com COLLECTOR MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 1 BASE Emitter-Base Voltage VEBO 4.0 Vdc Collector Current - Continuous IC 100 mAdc 2 THERMAL CHARACTERISTICS EMITTER Characteristic Symbol Max Unit Total Device Dissipation FR-5
Другие транзисторы: BTA1759N3, BTA1774C3, BTA1797M3, BTA1900M3, BTA1952E3, BTA1952I3, BTA1952J3, BTA1972K3, C3198, BTA3513I3, BTA3513J3, BTA4403A3, BTA9012A3, BTB589N3, BTB718N3, BTB772AJ3, BTB772AM3
History: BSX87
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet





