BTA9012A3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTA9012A3

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 144

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BTA9012A3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTA9012A3 даташит

 ..1. Size:319K  cystek
 bta9012a3.pdf pdf_icon

BTA9012A3

Spec. No. C305A3 Issued Date 2014.02.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.11 Page No. 1/8 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA9012A3 Description The BTA9012A3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Large IC , IC Max .= -0.6A Low VCE(sat), typically -0.09V at IC/IB = -100mA / -10

Другие транзисторы: BTA1952E3, BTA1952I3, BTA1952J3, BTA1972K3, BTA2029Y3, BTA3513I3, BTA3513J3, BTA4403A3, S9013, BTB589N3, BTB718N3, BTB772AJ3, BTB772AM3, BTB772I3, BTB772J3, BTB772ST3, BTB772T3