Биполярный транзистор BTB818AG6 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTB818AG6
Маркировка: AF
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TSOP6
Аналоги (замена) для BTB818AG6
BTB818AG6 Datasheet (PDF)
btb818ag6.pdf
Spec. No. : C240G6 Issued Date : 2013.05.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.29 Page No. : 1/9 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB818AG6 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.11V (typical), at IC / IB =- 500mA /- 5mA Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Outline TSOP-6 BTB818AG6Absolute Maximum Ratings (Ta=25C
btb818n6.pdf
Spec. No. : C313N6 Issued Date : 2011.01.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB818N6 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.2V (typical), at IC / IB =- 400mA /- 20mA Pb-free package Equivalent Circuit Outline SOT-23-6L BTB818N6Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter Symbol Limits UnitCollec
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
