BTB818AG6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB818AG6

Маркировка: AF

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TSOP6

 Аналоги (замена) для BTB818AG6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB818AG6 даташит

 ..1. Size:332K  cystek
 btb818ag6.pdf pdf_icon

BTB818AG6

Spec. No. C240G6 Issued Date 2013.05.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.29 Page No. 1/9 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB818AG6 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.11V (typical), at IC / IB =- 500mA /- 5mA Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Outline TSOP-6 BTB818AG6 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C

 8.1. Size:261K  cystek
 btb818n6.pdf pdf_icon

BTB818AG6

Spec. No. C313N6 Issued Date 2011.01.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB818N6 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.2V (typical), at IC / IB =- 400mA /- 20mA Pb-free package Equivalent Circuit Outline SOT-23-6L BTB818N6 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit Collec

Другие транзисторы: BTB589N3, BTB718N3, BTB772AJ3, BTB772AM3, BTB772I3, BTB772J3, BTB772ST3, BTB772T3, D965, BTB818N6, BTB826M3, BTB857AD3, BTB857D3, BTB1184J3, BTB1188AM3, BTB1188M3, BTB1188M3R