Справочник транзисторов. BTB818N6

 

Биполярный транзистор BTB818N6 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTB818N6
   Маркировка: BK
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23-6L
 

 Аналог (замена) для BTB818N6

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB818N6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  cystek
 btb818n6.pdf pdf_icon

BTB818N6

Spec. No. : C313N6 Issued Date : 2011.01.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB818N6 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.2V (typical), at IC / IB =- 400mA /- 20mA Pb-free package Equivalent Circuit Outline SOT-23-6L BTB818N6Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter Symbol Limits UnitCollec

 8.1. Size:332K  cystek
 btb818ag6.pdf pdf_icon

BTB818N6

Spec. No. : C240G6 Issued Date : 2013.05.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.29 Page No. : 1/9 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB818AG6 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.11V (typical), at IC / IB =- 500mA /- 5mA Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Outline TSOP-6 BTB818AG6Absolute Maximum Ratings (Ta=25C

Другие транзисторы... BTB718N3 , BTB772AJ3 , BTB772AM3 , BTB772I3 , BTB772J3 , BTB772ST3 , BTB772T3 , BTB818AG6 , TIP2955 , BTB826M3 , BTB857AD3 , BTB857D3 , BTB1184J3 , BTB1188AM3 , BTB1188M3 , BTB1188M3R , BTB1197N3 .

History: 2SD974

 

 
Back to Top

 


 
.