BTB818N6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB818N6

Маркировка: BK

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23-6L

 Аналоги (замена) для BTB818N6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB818N6 даташит

 ..1. Size:261K  cystek
 btb818n6.pdf pdf_icon

BTB818N6

Spec. No. C313N6 Issued Date 2011.01.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB818N6 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.2V (typical), at IC / IB =- 400mA /- 20mA Pb-free package Equivalent Circuit Outline SOT-23-6L BTB818N6 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit Collec

 8.1. Size:332K  cystek
 btb818ag6.pdf pdf_icon

BTB818N6

Spec. No. C240G6 Issued Date 2013.05.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.29 Page No. 1/9 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB818AG6 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.11V (typical), at IC / IB =- 500mA /- 5mA Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Outline TSOP-6 BTB818AG6 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C

Другие транзисторы: BTB718N3, BTB772AJ3, BTB772AM3, BTB772I3, BTB772J3, BTB772ST3, BTB772T3, BTB818AG6, 2SD669A, BTB826M3, BTB857AD3, BTB857D3, BTB1184J3, BTB1188AM3, BTB1188M3, BTB1188M3R, BTB1197N3