Биполярный транзистор BTB818N6 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTB818N6
Маркировка: BK
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-23-6L
BTB818N6 Datasheet (PDF)
btb818n6.pdf
Spec. No. : C313N6 Issued Date : 2011.01.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB818N6 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.2V (typical), at IC / IB =- 400mA /- 20mA Pb-free package Equivalent Circuit Outline SOT-23-6L BTB818N6Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter Symbol Limits UnitCollec
btb818ag6.pdf
Spec. No. : C240G6 Issued Date : 2013.05.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.29 Page No. : 1/9 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB818AG6 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.11V (typical), at IC / IB =- 500mA /- 5mA Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Outline TSOP-6 BTB818AG6Absolute Maximum Ratings (Ta=25C
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050