Биполярный транзистор BTB1198N3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTB1198N3
Маркировка: AK
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.56 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BTB1198N3
BTB1198N3 Datasheet (PDF)
btb1198n3.pdf
Spec. No. : C824N3 Issued Date : 2006.06.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.13 Page No. : 1/7 PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80VIC -1ABTB1198N3RCE(SAT) 320m(typ.) Features Low V , V = -0.16V (Typ.) @ I /I =-500mA/-50mA CE(SAT) CE(SAT) C B High breakdown voltage, BV =-80V CEO Complementary to BTD1782N3 Pb-free and Halogen-f
btb1198a3.pdf
Spec. No. : C824A3 Issued Date : 2007.02.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.12.27 Page No. : 1/7 PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1198A3Features Low V , V = -0.16V (Typ.) @ I /I =-500mA/-50mA CE(SAT) CE(SAT) C B High breakdown voltage, BV =-80V CEO Complementary to BTD1768A3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline
btb1198k3.pdf
Spec. No. : C824K3 Issued Date : 2008.10.31 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.10.09 Page No. : 1/7 PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1198K3Features Low V , V = -0.16V (Typ.) @ I /I =-500mA/-50mA CE(SAT) CE(SAT) C B High breakdown voltage, BV =-100V CEO Complementary to BTD1768K3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline
btb1198m3.pdf
Spec. No. : C824M3 Issued Date : 2007.05.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.02.24 Page No. : 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1198M3Features High breakdown voltage, BV -100V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Complementary to BTD5213M3 Pb-free lead plating and ha
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050