BTB1236A3 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BTB1236A3
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для BTB1236A3
BTB1236A3 - технические параметры
btb1236a3.pdf
Spec. No. C854A3 Issued Date 2004.07.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.04.27 Page No. 1/6 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1236A3 Description High BV CEO High current capability Pb-free lead plating package Symbol Outline BTB1236A3 TO-92 B Base C Collector E Emitter E C B Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Par
btb1236aj3.pdf
Spec. No. C315J3 Issued Date 2010.12.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -160V IC -1.5A BTB1236AJ3 RCESAT(MAX) 600m Description High BV CEO High current capability RoHS compliant package Symbol Outline BTB1236AJ3 TO-252(DPAK) B Base C Collector E Emitter B C E Ab
btb1236ai3.pdf
Spec. No. C315I3 Issued Date 2012.01.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/5 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1236AI3 Description High BV CEO High current capability Complementary to BTD1857AI3 RoHS compliant package Symbol Outline BTB1236AI3 TO-251 B Base C Collector E Emitter B C E Absolute Maximum Ra
btb1236am3.pdf
Spec. No. C854M3 Issued Date 2004.08.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.12 Page No. 1/7 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1236AM3 Description High BV CEO High current capability RoHS compliant package Symbol Outline BTB1236AM3 SOT-89 B Base C Collector E Emitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Para
Другие транзисторы... BTB1197N3 , BTB1198A3 , BTB1198K3 , BTB1198M3 , BTB1198N3 , BTB1199M3 , BTB1205I3 , BTB1216J3 , TIP32C , BTB1236AE3 , BTB1236AFP , BTB1236AI3 , BTB1236AJ3 , BTB1236AK3 , BTB1236AM3 , BTB1236AT3 , BTB1238AL3 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet










