BTB4110D3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB4110D3

Маркировка: B4110

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO126ML

 Аналоги (замена) для BTB4110D3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB4110D3 даташит

 ..1. Size:224K  cystek
 btb4110d3.pdf pdf_icon

BTB4110D3

Spec. No. C815D3 Issued Date 2011.03.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -20V IC -5A BTB4110D3 RCESAT 75m (typ.) Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (typical), at IC / IB = -4A / -100mA Excellent DC current gain characteristics Pb-free package Symbol Outline BTB4110D3 TO-126ML

Другие транзисторы: BTB1424L3, BTB1424N3, BTB1427M3, BTB1498N3, BTB1580J3, BTB1580L3, BTB1580M3, BTB1590N3, 2SA1943, BTB4511J3, BTB5140N3, BTB5213L3, BTB5240N3, BTB5839M3, BTB9050N3, BTB9435J3, BTB9435L3