BTB5839M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB5839M3

Маркировка: BF

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 190 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 33 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BTB5839M3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB5839M3 даташит

 ..1. Size:245K  cystek
 btb5839m3.pdf pdf_icon

BTB5839M3

Spec. No. C240M3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2012.10.18 Revised Date 2013.08.07 Page No. 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB5839M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (max), at IC / IB = -2A / -0.1A Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTB5893M3 SOT-89 B Ba

 9.1. Size:258K  cystek
 btb589n3.pdf pdf_icon

BTB5839M3

Spec. No. C314N3 Issued Date 2005.04.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.05.08 Page No. 1/ 6 Low Saturation PNP Epitaxial Planar Transistor BTB589N3 Description The BTB589N3 is designed with high current gain and low saturation voltage with collector current up to 1A continuous. Features Low VCE(SAT) , VCE(SAT) -0.3V (I / I =-1A/-100mA) C B L

Другие транзисторы: BTB1580L3, BTB1580M3, BTB1590N3, BTB4110D3, BTB4511J3, BTB5140N3, BTB5213L3, BTB5240N3, TIP3055, BTB9050N3, BTB9435J3, BTB9435L3, BTC945A3, BTC1510E3, BTC1510F3, BTC1510FP, BTC1510I3