Справочник транзисторов. BTB5839M3

 

Биполярный транзистор BTB5839M3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BTB5839M3
   Маркировка: BF
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 190 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 33 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BTB5839M3

 

 

BTB5839M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  cystek
btb5839m3.pdf

BTB5839M3
BTB5839M3

Spec. No. : C240M3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2012.10.18 Revised Date : 2013.08.07 Page No. : 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB5839M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (max), at IC / IB = -2A / -0.1A Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTB5893M3 SOT-89 BBa

 9.1. Size:258K  cystek
btb589n3.pdf

BTB5839M3
BTB5839M3

Spec. No. : C314N3 Issued Date : 2005.04.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2009.05.08 Page No. : 1/ 6 Low Saturation PNP Epitaxial Planar Transistor BTB589N3Description The BTB589N3 is designed with high current gain and low saturation voltage with collector current up to 1A continuous. Features Low VCE(SAT) , VCE(SAT) -0.3V (I / I =-1A/-100mA) C B L

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top