BTC1510T3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BTC1510T3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000
Корпус транзистора: TO126
Аналоги (замена) для BTC1510T3
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BTC1510T3 даташит
btc1510t3.pdf
Spec. No. C652T3 Issued Date 2003.09.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2006.05.24 Page No. 1/5 NPN Epitaxial Planar Transistor BTC1510T3 Description The BTC1510T3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construct
btc1510e3.pdf
Spec. No. C652E3 Issued Date 2004.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.05.05 Page No. 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BTC1510E3 Description The BTC1510E3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construc
btc1510fp.pdf
Spec. No. C652FP Issued Date 2005.03.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2006.06.02 Page No. 1/5 NPN Epitaxial Planar Transistor BTC1510FP Description The BTC1510FP is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construct
btc1510j3.pdf
Spec. No. C652J3 Issued Date 2003.05.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.26 Page No. 1/7 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 150V IC 10A BTC1510J3 RCESAT 220m Description The BTC1510J3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BVCEO Low VCE(SAT) Hig
Другие транзисторы: BTB9435J3, BTB9435L3, BTC945A3, BTC1510E3, BTC1510F3, BTC1510FP, BTC1510I3, BTC1510J3, 13003, BTC1806D3, BTC2030A3, BTC2030N3, BTC2059A3, BTC2059N3, BTC2383A3, BTC2383K3, BTC2411L3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213






