Биполярный транзистор BTC2383A3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTC2383A3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 280 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для BTC2383A3
BTC2383A3 Datasheet (PDF)
btc2383a3.pdf
Spec. No. : C316 Issued Date : 2005.12.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2006.03.17 Page No. : 1/9 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2383A3Features High breakdown voltage, BV 200V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Complementary to BTA1013A3 Pb-free package Symbol Outlin
btc2383k3.pdf
Spec. No. : C625K3 Issued Date : 2014.04.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 NPN Epitaxial Planar TransistorBVCEO 160VIC 1ABTC2383K3RCESAT(MAX) 1 Features High breakdown voltage , BV =160V CEO Low Saturation Voltage, V =0.2V(typ)@I =500mA, I =50mA CE(sat) C B Complementary to BTA1013K3 Pb-free lead plating and halogen-free
btc2328ak3.pdf
Spec. No. : C858K3 Issued Date : 2014.11.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 NPN Epitaxial Planar TransistorBVCEO 30VIC 2ABTC2328AK3RCESAT(MAX) 333m Features Low Saturation Voltage, V =0.5V(max)@I =1.5A, I =30mA CE(sat) C B Complementary to BTA928AK3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline TO-92L BTC2328
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
