Справочник транзисторов. BTC2411N3G

 

Биполярный транзистор BTC2411N3G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BTC2411N3G
   Маркировка: 2X_1P
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BTC2411N3G

 

 

BTC2411N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  cystek
btc2411n3g.pdf

BTC2411N3G
BTC2411N3G

Spec. No. : C203N3G Issued Date : 2008.12.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411N3GDescription The BTC2411N3G is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High I , I = 0.6A. C(Max) C(Max) Low V , Typ. V = 0.4V at I /I = 500mA/50mA.

 5.1. Size:283K  cystek
btc2411n3.pdf

BTC2411N3G
BTC2411N3G

Spec. No. : C203N3 Issued Date : 2002.05.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.25 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411N3Description The BTC2411N3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High I , I = 0.6A. C(Max) C(Max) Low V , Typ. V = 0.2V at I /I = 500mA/

 7.1. Size:265K  cystek
btc2411l3.pdf

BTC2411N3G
BTC2411N3G

Spec. No. : C203L3 Issued Date : 2005.02.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.11.12 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411L3Description The BTC2411L3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High I , I = 0.6A. C(Max) C(Max) Low V , Typ. V = 0.2V at I /I = 500mA/

 7.2. Size:271K  cystek
btc2411s3.pdf

BTC2411N3G
BTC2411N3G

Spec. No. : C203S3-R Issued Date : 2003.11.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.11.12 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411S3Description The BTC2411S3 is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-323/SC-70 package which is designed for low power surface mount applications. Low V CE(sat

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top