Биполярный транзистор BTC2412N3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTC2412N3
Маркировка: C4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BTC2412N3
BTC2412N3 Datasheet (PDF)
btc2412n3.pdf
Spec. No. : C202N3 Issued Date : 2002.05.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.28 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2412N3Description The BTC2412N3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. Low Cob. Typ. Cob=2.0pF Complementary to BTA1037N3 . Pb-free lead
btc2411n3.pdf
Spec. No. : C203N3 Issued Date : 2002.05.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.25 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411N3Description The BTC2411N3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High I , I = 0.6A. C(Max) C(Max) Low V , Typ. V = 0.2V at I /I = 500mA/
btc2411l3.pdf
Spec. No. : C203L3 Issued Date : 2005.02.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.11.12 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411L3Description The BTC2411L3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High I , I = 0.6A. C(Max) C(Max) Low V , Typ. V = 0.2V at I /I = 500mA/
btc2411s3.pdf
Spec. No. : C203S3-R Issued Date : 2003.11.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.11.12 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411S3Description The BTC2411S3 is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-323/SC-70 package which is designed for low power surface mount applications. Low V CE(sat
btc2411n3g.pdf
Spec. No. : C203N3G Issued Date : 2008.12.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411N3GDescription The BTC2411N3G is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High I , I = 0.6A. C(Max) C(Max) Low V , Typ. V = 0.4V at I /I = 500mA/50mA.
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
