BTC2412N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTC2412N3

Маркировка: C4

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BTC2412N3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC2412N3 даташит

 ..1. Size:318K  cystek
 btc2412n3.pdf pdf_icon

BTC2412N3

Spec. No. C202N3 Issued Date 2002.05.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.28 Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2412N3 Description The BTC2412N3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. Low Cob. Typ. Cob=2.0pF Complementary to BTA1037N3 . Pb-free lead

 8.1. Size:283K  cystek
 btc2411n3.pdf pdf_icon

BTC2412N3

Spec. No. C203N3 Issued Date 2002.05.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.25 Page No. 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411N3 Description The BTC2411N3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High I , I = 0.6A. C(Max) C(Max) Low V , Typ. V = 0.2V at I /I = 500mA/

 8.2. Size:265K  cystek
 btc2411l3.pdf pdf_icon

BTC2412N3

Spec. No. C203L3 Issued Date 2005.02.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.11.12 Page No. 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411L3 Description The BTC2411L3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High I , I = 0.6A. C(Max) C(Max) Low V , Typ. V = 0.2V at I /I = 500mA/

 8.3. Size:271K  cystek
 btc2411s3.pdf pdf_icon

BTC2412N3

Spec. No. C203S3-R Issued Date 2003.11.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.11.12 Page No. 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411S3 Description The BTC2411S3 is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-323/SC-70 package which is designed for low power surface mount applications. Low V CE(sat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTC2059A3, BTC2059N3, BTC2383A3, BTC2383K3, BTC2411L3, BTC2411N3, BTC2411N3G, BTC2411S3, B772, BTC2655K3, BTC2655S3, BTC2880A3, BTC2880M3, BTC2880M3G, BTC2881E3, BTC2881FP, BTC2881J3