BTC3415A3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTC3415A3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BTC3415A3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC3415A3 даташит

 ..1. Size:292K  cystek
 btc3415a3.pdf pdf_icon

BTC3415A3

Spec. No. C209A3 Issued Date 2008.01.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.06 Page No. 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTC3415A3 Description High breakdown voltage. (BV =300V) CEO Low collector output capacitance. (Typ. 2.1pF at V =30V) CB Ideal for chroma circuit. Pb-free lead plating and halogen-free package. Symbo

Другие транзисторы: BTC2881J3, BTC2881L3, BTC2881M3, BTC2882J3, BTC2883J3, BTC3097T3, BTC3149E3, BTC3356N3, C3198, BTC3838N3, BTC3906L3, BTC3906M3, BTC3906N3, BTC3906N3G, BTC3906S3, BTC4061N3, BTC4081S3