Справочник транзисторов. BTC3906N3G

 

Биполярный транзистор BTC3906N3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTC3906N3G
   Маркировка: G1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.56 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для BTC3906N3G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC3906N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  cystek
 btc3906n3g.pdf pdf_icon

BTC3906N3G

Spec. No. : C208N3G Issued Date : 2008.12.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/5 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC3906N3GDescription The BTC3906N3G is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BTA1514N3G

 5.1. Size:271K  cystek
 btc3906n3.pdf pdf_icon

BTC3906N3G

Spec. No. : C208N3G Issued Date : 2002.05.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.05.08 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC3906N3Description The BTC3906N3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to B

 7.1. Size:269K  cystek
 btc3906l3.pdf pdf_icon

BTC3906N3G

Spec. No. : C208L3 Issued Date : 2004.09.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.25 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC3906L3Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BTA1514L3. Pb-free lead plating and halogen-free package. Symbol Outline BTC3906L3 SOT-223 C E

 7.2. Size:266K  cystek
 btc3906s3.pdf pdf_icon

BTC3906N3G

Spec. No. : C208S3 Issued Date : 2013.05.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC3906S3Description The BTC3906S3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BTA1514S3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BTC3097T3 , BTC3149E3 , BTC3356N3 , BTC3415A3 , BTC3838N3 , BTC3906L3 , BTC3906M3 , BTC3906N3 , 8550 , BTC3906S3 , BTC4061N3 , BTC4081S3 , BTC4082S3 , BTC4083S3 , BTC4226S3 , BTC4401A3 , BTC4505A3 .

History: PZTA96S | BD323B | TD265-1 | 3DD13005_F8

 

 
Back to Top

 


 
.