Биполярный транзистор BTC3906N3G
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTC3906N3G
Маркировка: G1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.56
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора:
SOT23
Аналоги (замена) для BTC3906N3G
BTC3906N3G
Datasheet (PDF)
..1. Size:174K cystek
btc3906n3g.pdf Spec. No. : C208N3G Issued Date : 2008.12.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/5 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC3906N3GDescription The BTC3906N3G is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BTA1514N3G
5.1. Size:271K cystek
btc3906n3.pdf Spec. No. : C208N3G Issued Date : 2002.05.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.05.08 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC3906N3Description The BTC3906N3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to B
7.1. Size:269K cystek
btc3906l3.pdf Spec. No. : C208L3 Issued Date : 2004.09.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.25 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC3906L3Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BTA1514L3. Pb-free lead plating and halogen-free package. Symbol Outline BTC3906L3 SOT-223 C E
7.2. Size:266K cystek
btc3906s3.pdf Spec. No. : C208S3 Issued Date : 2013.05.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC3906S3Description The BTC3906S3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BTA1514S3
7.3. Size:246K cystek
btc3906m3.pdf Spec. No. : C208M3 Issued Date : 2003.08.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.08.05 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC3906M3Description The BTC3906M3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BTA
Другие транзисторы... 2SA1771
, 2SA178
, 2SA1790
, 2SA1791
, 2SA1792
, 2SA1793
, 2SA1794
, 2SA1795
, BC557
, 2SA1799
, 2SA17H
, 2SA18
, 2SA180
, 2SA1800
, 2SA1800O
, 2SA1800R
, 2SA1800Y
.