Биполярный транзистор BTC3906S3 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BTC3906S3
Маркировка: G1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT323
Аналог (замена) для BTC3906S3
BTC3906S3 Datasheet (PDF)
btc3906s3.pdf

Spec. No. : C208S3 Issued Date : 2013.05.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC3906S3Description The BTC3906S3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BTA1514S3
btc3906n3.pdf

Spec. No. : C208N3G Issued Date : 2002.05.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.05.08 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC3906N3Description The BTC3906N3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to B
btc3906l3.pdf

Spec. No. : C208L3 Issued Date : 2004.09.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.25 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC3906L3Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BTA1514L3. Pb-free lead plating and halogen-free package. Symbol Outline BTC3906L3 SOT-223 C E
btc3906m3.pdf

Spec. No. : C208M3 Issued Date : 2003.08.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.08.05 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC3906M3Description The BTC3906M3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BTA
Другие транзисторы... BTC3149E3 , BTC3356N3 , BTC3415A3 , BTC3838N3 , BTC3906L3 , BTC3906M3 , BTC3906N3 , BTC3906N3G , 2SD669A , BTC4061N3 , BTC4081S3 , BTC4082S3 , BTC4083S3 , BTC4226S3 , BTC4401A3 , BTC4505A3 , BTC4505M3 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor