Биполярный транзистор BTC4505M3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTC4505M3
Маркировка: 3D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для BTC4505M3
BTC4505M3 Datasheet (PDF)
btc4505m3.pdf
Spec. No. : C210M3 Issued Date : 2003.05.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.08.06 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTC4505M3 Features High breakdown voltage, BV =400V. CEO (min) Low saturation voltage, typically V (sat) =0.14V at I /I 50mA/5mA. CE C B= Complementary to BTA1759M3. Pb-free package. Symbol Outline B
btc4505a3.pdf
Spec. No. : C210A3-R Issued Date : 2003.10.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2007.11.22 Page No. : 1/4 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTC4505A3 Features High breakdown voltage. (BV = 400V) CEO Low saturation voltage, typically V (sat) = 0.1V at I / I 10mA / 1mA. CE C B= Complementary to BTA1759A3 RoHS compliant package Symbol Outl
btc4505n3.pdf
Spec. No. : C210N3 Issued Date : 2003.05.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.10.19 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 400VIC 0.3ABTC4505N3 VCESAT(TYP) 0.1VFeatures High breakdown voltage. (BV =400V) CEO Low saturation voltage, typically V (sat) =0.1V at I /I 10mA/1mA. CE C B= Complementary to BTA1759N3 Pb-
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
