BTC5658Y3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTC5658Y3

Маркировка: BR_BS

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT723

 Аналоги (замена) для BTC5658Y3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC5658Y3 даташит

 ..1. Size:328K  cystek
 btc5658y3.pdf pdf_icon

BTC5658Y3

Spec. No. C204Y3 Issued Date 2011.11.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.06.18 Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5658Y3 Description The BTC5658Y3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BTA2029Y3. Pb-free lead plating and halogen-free package. Symbol Outline

Другие транзисторы: BTC4505N3, BTC4617C3, BTC4620D3, BTC4672M3, BTC5094N3, BTC5095S3, BTC5103I3, BTC5181WC3, BC547B, BTC5706A3, BTC5706I3, BTC5706J3, BTC9013A3, BTC9014A3, BTD142F3, BTD882AM3, BTD882D3