Биполярный транзистор BTD882D3 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BTD882D3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: TO126ML
Аналог (замена) для BTD882D3
BTD882D3 Datasheet (PDF)
btd882d3.pdf

Spec. No. : C848D3-H Issued Date : 2005.05.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2006.04.21 Page No. : 1/4 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD882D3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 2A / 200mA Excellent current gain characteristics Complementary to BTB772D3 Pb-free package Symbol Outline BTD882D3 TO-126ML B
btd882j3.pdf

Spec. No. : C848J3-H Issued Date : 2003.04.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.03.12 Page No. : 1/7 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar TransistorBVCEO 50VIC 3ABTD882J3RCESAT (Typ) 125m Features Low VCE(sat), typically 0.25V at IC / IB = 2A / 0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTB772J3 Pb-free package Symbol Outli
btd882t3.pdf

Spec. No. : C848T3-H Issued Date : 2002.08.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.17 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 30VIC 3ABTD882T3 RCESAT (Typ) 125m Features Low VCE(sat), typically 0.25V at IC / IB = 2A / 0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTB772T3 Pb-free package Symbol Out
btd882am3.pdf

Spec. No. : C848M3-H Issued Date : 2003.06.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.12 Page No. : 1/7 Low V NPN Epitaxial Planar Transistor CE(sat)BVCEO 50VIC 3ABTD882AM3 RCESAT (Typ) 125m Features Low VCE(sat), typically 0.25V at IC / IB = 2A / 0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTB772AM3 Pb-free lead plating p
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: BUY82X | 2SC1176 | 8550S
History: BUY82X | 2SC1176 | 8550S



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140