BTD882D3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BTD882D3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180
Корпус транзистора: TO126ML
Аналоги (замена) для BTD882D3
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BTD882D3 даташит
btd882j3.pdf
Spec. No. C848J3-H Issued Date 2003.04.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.03.12 Page No. 1/7 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 50V IC 3A BTD882J3 RCESAT (Typ) 125m Features Low VCE(sat), typically 0.25V at IC / IB = 2A / 0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTB772J3 Pb-free package Symbol Outli
btd882t3.pdf
Spec. No. C848T3-H Issued Date 2002.08.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.17 Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 30V IC 3A BTD882T3 RCESAT (Typ) 125m Features Low VCE(sat), typically 0.25V at IC / IB = 2A / 0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTB772T3 Pb-free package Symbol Out
btd882am3.pdf
Spec. No. C848M3-H Issued Date 2003.06.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.12 Page No. 1/7 Low V NPN Epitaxial Planar Transistor CE(sat) BVCEO 50V IC 3A BTD882AM3 RCESAT (Typ) 125m Features Low VCE(sat), typically 0.25V at IC / IB = 2A / 0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTB772AM3 Pb-free lead plating p
Другие транзисторы: BTC5658Y3, BTC5706A3, BTC5706I3, BTC5706J3, BTC9013A3, BTC9014A3, BTD142F3, BTD882AM3, MJE350, BTD882I3, BTD882J3, BTD882SA3, BTD882ST3, BTD882T3, BTD965A3, BTD965LA3, BTD965N3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140







