Справочник транзисторов. BTD882I3

 

Биполярный транзистор BTD882I3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTD882I3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: TO251
 

 Аналог (замена) для BTD882I3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD882I3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  cystek
btd882i3.pdfpdf_icon

BTD882I3

Spec. No. : C848I3-H Issued Date : 2003.04.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.11.05 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 30V IC 3ABTD882I3 RCESAT 125m typ.Features Low VCE(sat), typically 0.25V at IC / IB = 2A / 0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTB772I3 RoHS compliant package Symb

 8.1. Size:302K  cystek
btd882j3.pdfpdf_icon

BTD882I3

Spec. No. : C848J3-H Issued Date : 2003.04.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.03.12 Page No. : 1/7 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar TransistorBVCEO 50VIC 3ABTD882J3RCESAT (Typ) 125m Features Low VCE(sat), typically 0.25V at IC / IB = 2A / 0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTB772J3 Pb-free package Symbol Outli

 8.2. Size:320K  cystek
btd882t3.pdfpdf_icon

BTD882I3

Spec. No. : C848T3-H Issued Date : 2002.08.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.17 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 30VIC 3ABTD882T3 RCESAT (Typ) 125m Features Low VCE(sat), typically 0.25V at IC / IB = 2A / 0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTB772T3 Pb-free package Symbol Out

 8.3. Size:246K  cystek
btd882am3.pdfpdf_icon

BTD882I3

Spec. No. : C848M3-H Issued Date : 2003.06.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.12 Page No. : 1/7 Low V NPN Epitaxial Planar Transistor CE(sat)BVCEO 50VIC 3ABTD882AM3 RCESAT (Typ) 125m Features Low VCE(sat), typically 0.25V at IC / IB = 2A / 0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTB772AM3 Pb-free lead plating p

Другие транзисторы... BTC5706A3 , BTC5706I3 , BTC5706J3 , BTC9013A3 , BTC9014A3 , BTD142F3 , BTD882AM3 , BTD882D3 , TIP36C , BTD882J3 , BTD882SA3 , BTD882ST3 , BTD882T3 , BTD965A3 , BTD965LA3 , BTD965N3 , BTD1304A3 .

 

 
Back to Top

 


 
.