Биполярный транзистор BTD1304A3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTD1304A3
Маркировка: D1304
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для BTD1304A3
BTD1304A3 Datasheet (PDF)
btd1304a3.pdf
Spec. No. : C857A3 Issued Date : 2013.03.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 20VAUDIO MUTING APPLICATION IC 500mARCE(SAT) 0.3(typ) BTD1304A3 Features High Emitter-Base voltage, VEBO=12V(min). High reverse hFE, reverse hFE=20(min.) @VCE=2V, IC=4mA. Low On-resistance, Ron=0.6(max)@IB=1mA.
btd1304n3.pdf
Spec. No. : C857N3 Issued Date : 2011.03.31 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.04.01 Page No. : 1/8 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 20VAUDIO MUTING APPLICATION IC 500mARCE(SAT) 0.3(typ) BTD1304N3 Features High Emitter-Base voltage, VEBO=12V(min). High reverse hFE, reverse hFE=20(min.) @VCE=2V, IC=4mA. Low On-resistance, Ron=0.6(max)@IB
btd1383m3.pdf
Spec. No. : C214M3 Issued Date : 2006.11.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.06 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1383M3Description The BTD1383M3 is a darlington amplifier transistor. Pb-free package Symbol Outline SOT-89 BTD1383M3C B BBase B C E CCollector E EEmitter Absolute Maximum Ratin
btd1383l3.pdf
Spec. No. : C214L3 Issued Date : 2005.01.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/4 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1383L3Description The BTD1383L3 is a darlington amplifier transistor. Symbol Outline BTD1383L3SOT-223 C CB E C BBase B CCollector E EEmitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
