Биполярный транзистор BTD1768S3
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTD1768S3
Маркировка: AJ
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора:
SOT323
Аналоги (замена) для BTD1768S3
BTD1768S3
Datasheet (PDF)
..1. Size:258K cystek
btd1768s3.pdf 
Spec. No. : C304S3 Issued Date : 2009.11.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 80VIC 1ABTD1768S3RCESAT(MAX) 0.5 Description The BTD1768S3 is designed for use in driver and output stages of AF amplifier and general purpose application. Features Low collector saturation voltage High
7.1. Size:243K cystek
btd1768ba3.pdf 
Spec. No. : C304A3-B Issued Date : 2006.08.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2010.07.02 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1768BA3Description The BTD1768BA3 is designed for use in driver and output stages of AF amplifier and general purpose application. Features Low collector saturation voltage High breakdown voltage, V =80
7.2. Size:255K cystek
btd1768n3.pdf 
Spec. No. : C304N3 Issued Date : 2005.01.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2010.10.20 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1768N3Description The BTD1768N3 is designed for use in driver and output stages of AF amplifier and general purpose application. Features Low collector saturation voltage High breakdown voltage, V =80V (m
7.3. Size:248K cystek
btd1768a3.pdf 
Spec. No. : C304A3 Issued Date : 2003.07.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.12.27 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1768A3Description The BTD1768A3 is designed for use in driver and output stages of AF amplifier and general purpose application. Features Low collector saturation voltage High breakdown voltage, V =80V (m
7.4. Size:232K cystek
btd1768m3.pdf 
Spec. No. : C310M3 Issued Date : 2007.01.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.07 Page No. : 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1768M3 Features High VCEO, VCEO=80V High IC, IC(DC)=1A Low VCE(sat) Good current gain linearity Complementary to BTB1198M3 Pb-free lead plating Symbol Outline BTD1768M3 SOT-89 BBase B C E
Другие транзисторы... 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, 2SA1804R
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, TIP42
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
, 2SA1811
, 2SA1815
, 2SA1815-3
, 2SA1815-4
.
