BTD1858A3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BTD1858A3  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BTD1858A3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD1858A3 даташит

 ..1. Size:202K  cystek
 btd1858a3.pdf pdf_icon

BTD1858A3

Spec. No. C856A3 Issued Date 2006.06.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2006.06.08 Page No. 1/9 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1858A3 Description High BV CEO High current capability Pb-free package Symbol Outline BTD1858A3 TO-92 B Base C Collector E Emitter E C B Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbo

 7.1. Size:173K  cystek
 btd1858t3.pdf pdf_icon

BTD1858A3

Spec. No. C856T3 Issued Date 2007.03.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1858T3 Description High BV CEO High current capability Pb-free package Symbol Outline BTD1858T3 TO-126 B Base C Collector E Emitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits

 7.2. Size:273K  cystek
 btd1858i3.pdf pdf_icon

BTD1858A3

Spec. No. C856I3 Issued Date 2006.06.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.08.21 Page No. 1/7 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1858I3 Description High BV CEO High current capability Pb-free lead plating package Symbol Outline BTD1858I3 TO-251AB TO-251S B Base C Collector E Emitter B C E B C E Absolute Maximum Ratin

 8.1. Size:246K  cystek
 btd1857am3.pdf pdf_icon

BTD1858A3

Spec. No. C855M3-R Issued Date 2004.08.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.31 Page No. 1/6 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 160V IC 1.5A BTD1857AM3 RCESAT(MAX) 0.3 Description High BV CEO High current capability Complementary to BTB1236AM3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTD1857AM3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTD1857AE3, BTD1857AFP, BTD1857AI3, BTD1857AJ3, BTD1857AJ3G, BTD1857AL3, BTD1857AM3, BTD1857AT3, 2SD1047, BTD1858I3, BTD1858T3, BTD1864I3, BTD1980J3, BTD2040N3S, BTD2057A3, BTD2061FP, BTD2098AM3