Справочник транзисторов. BTD1858I3

 

Биполярный транзистор BTD1858I3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTD1858I3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: TO-251AB TO-251S
 

 Аналог (замена) для BTD1858I3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD1858I3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  cystek
btd1858i3.pdfpdf_icon

BTD1858I3

Spec. No. : C856I3 Issued Date : 2006.06.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.08.21 Page No. : 1/7 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1858I3Description High BV CEO High current capability Pb-free lead plating package Symbol Outline BTD1858I3 TO-251AB TO-251S BBase CCollector EEmitter B C E B C E Absolute Maximum Ratin

 7.1. Size:173K  cystek
btd1858t3.pdfpdf_icon

BTD1858I3

Spec. No. : C856T3 Issued Date : 2007.03.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1858T3Description High BV CEO High current capability Pb-free package Symbol Outline BTD1858T3 TO-126 BBase CCollector EEmitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter Symbol Limits

 7.2. Size:202K  cystek
btd1858a3.pdfpdf_icon

BTD1858I3

Spec. No. : C856A3 Issued Date : 2006.06.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2006.06.08 Page No. : 1/9 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1858A3Description High BV CEO High current capability Pb-free package Symbol Outline BTD1858A3 TO-92 BBase CCollector EEmitter E C BAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter Symbo

 8.1. Size:246K  cystek
btd1857am3.pdfpdf_icon

BTD1858I3

Spec. No. : C855M3-R Issued Date : 2004.08.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.31 Page No. : 1/6 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 160VIC 1.5ABTD1857AM3RCESAT(MAX) 0.3 Description High BV CEO High current capability Complementary to BTB1236AM3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTD1857AM3

Другие транзисторы... BTD1857AFP , BTD1857AI3 , BTD1857AJ3 , BTD1857AJ3G , BTD1857AL3 , BTD1857AM3 , BTD1857AT3 , BTD1858A3 , S9014 , BTD1858T3 , BTD1864I3 , BTD1980J3 , BTD2040N3S , BTD2057A3 , BTD2061FP , BTD2098AM3 , BTD2098LN3 .

History: NSBC123JDP6T5G | 2SD2589P | 2SA1789 | CSC3199

 

 
Back to Top

 


 
.