BTD2040N3S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BTD2040N3S
Маркировка: BS
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для BTD2040N3S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BTD2040N3S даташит
btd2040n3s.pdf
Spec. No. C223N3-A Issued Date 2004.02.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.03 Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 25V IC 1A BTD2040N3S RCESAT 0.31 (typ.) Features The BTD2040N3S is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typical), at IC / IB = 50mA / 2.5mA
btd2098am3.pdf
Spec. No. C847M3 Issued Date 2003.04.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.12 Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2098AM3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTB1386AM3 Pb-free package Symbol Outline BTD2098AM3 SOT-89
btd2061fp.pdf
Spec. No. C819FP Issued Date 2005.09.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.06.29 Page No. 1/5 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2061FP Features Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.25V at IC/IB=2A/0.2A. Excellent DC current gain characteristics. Wide SOA(safe operating area). Pb-free package. Symbol Outline BTD2061FP T
btd2098ln3.pdf
Spec. No. C850N3 Issued Date 2004.01.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.02.21 Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2098LN3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTB1386LN3 Pb-free package Symbol Outline BTD2098LN3 SOT-23
Другие транзисторы: BTD1857AL3, BTD1857AM3, BTD1857AT3, BTD1858A3, BTD1858I3, BTD1858T3, BTD1864I3, BTD1980J3, S8550, BTD2057A3, BTD2061FP, BTD2098AM3, BTD2098LN3, BTD2098M3, BTD2114N3, BTD2118LJ3, BTD2118T3
History: 2SC4656 | 2SC2813Q5
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent






