BTD2057A3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BTD2057A3  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BTD2057A3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD2057A3 даташит

 ..1. Size:159K  cystek
 btd2057a3.pdf pdf_icon

BTD2057A3

Spec. No. C855A3-A Issued Date 2005.04.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/4 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2057A3 Description High BV CEO High current capability Pb-free package Symbol Outline BTD2057A3 TO-92 B Base C Collector E Emitter E C B Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits

 9.1. Size:227K  cystek
 btd2098am3.pdf pdf_icon

BTD2057A3

Spec. No. C847M3 Issued Date 2003.04.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.12 Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2098AM3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTB1386AM3 Pb-free package Symbol Outline BTD2098AM3 SOT-89

 9.2. Size:215K  cystek
 btd2061fp.pdf pdf_icon

BTD2057A3

Spec. No. C819FP Issued Date 2005.09.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.06.29 Page No. 1/5 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2061FP Features Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.25V at IC/IB=2A/0.2A. Excellent DC current gain characteristics. Wide SOA(safe operating area). Pb-free package. Symbol Outline BTD2061FP T

 9.3. Size:242K  cystek
 btd2098ln3.pdf pdf_icon

BTD2057A3

Spec. No. C850N3 Issued Date 2004.01.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.02.21 Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2098LN3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTB1386LN3 Pb-free package Symbol Outline BTD2098LN3 SOT-23

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTD1857AM3, BTD1857AT3, BTD1858A3, BTD1858I3, BTD1858T3, BTD1864I3, BTD1980J3, BTD2040N3S, 2SC4793, BTD2061FP, BTD2098AM3, BTD2098LN3, BTD2098M3, BTD2114N3, BTD2118LJ3, BTD2118T3, BTD2150A3