Справочник транзисторов. BTD2150A3

 

Биполярный транзистор BTD2150A3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTD2150A3
   Маркировка: D2150
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для BTD2150A3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD2150A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  cystek
 btd2150a3.pdf pdf_icon

BTD2150A3

Spec. No. : C848A3 Issued Date : 2005.02.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2010.11.05 Page No. : 1/7 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 50VIC 3ABTD2150A3 RCESAT (Typ) 125m Features Low VCE(sat), typically 0.25V at IC / IB = 2A / 100mA 0.1V at IC / IB = 1A / 50mA Excellent current gain characteristics Complementary to BTB1424A3

 6.1. Size:250K  cystek
 btd2150am3.pdf pdf_icon

BTD2150A3

Spec. No. : C848M3-A Issued Date : 2002.08.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/7 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 50VIC 3ABTD2150AM3 RCE(SAT) typ. 125m Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.1 V (typical), at IC / IB = 1A / 50mA Excellent current gain characteristics Complementary to BTB1424AM3 Pb-free lead

 6.2. Size:176K  cystek
 btd2150ad3.pdf pdf_icon

BTD2150A3

Spec. No. : C848D3 Issued Date : 2004.07.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2005.11.16 Page No. : 1/4 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2150AD3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 2A / 200mA Excellent current gain characteristics Complementary to BTB1424AD3 Pb-free package Symbol Outline TO-126ML BTD2150A

 7.1. Size:290K  cystek
 btd2150n3.pdf pdf_icon

BTD2150A3

Spec. No. : C848N3-A Issued Date : 2004.03.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.11.28 Page No. : 1/8 Low V NPN Epitaxial Planar Transistor CE(sat)BVCEO 50VIC 4ABTD2150N3 RCE(SAT) typ. 90m Features Low VCE(sat), typically 0.18V at IC / IB = 2A / 0.1A Excellent current gain characteristics Complementary to BTB1424N3 Pb-free lead plating a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SD2656

 

 
Back to Top

 


 
.