BTD2195L3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BTD2195L3  📄📄 

Маркировка: DP

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: SOT-223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BTD2195L3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD2195L3 даташит

 ..1. Size:320K  cystek
 btd2195l3.pdf pdf_icon

BTD2195L3

Spec. No. C654L3 Issued Date 2007.02.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.07 Page No. 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2195L3 Description The BTD2195L3 is a NPN Darlington transistor, designed for use in general purpose amplifier and low speed switching application. Pb-free package process is adopted. Equivalent Circuit Outline BTD2195L3 SOT-223

 7.1. Size:241K  cystek
 btd2195m3.pdf pdf_icon

BTD2195L3

Spec. No. C654M3 Issued Date 2003.07.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.12 Page No. 1/7 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2195M3 Description The BTD2195M3 is designed for use in general purpose amplifier and low speed switching application. Pb-free lead plating package process is adopted. Equivalent Circuit Outline BTD2195M3 SOT-89 C B R1 8K R

 7.2. Size:235K  cystek
 btd2195t3.pdf pdf_icon

BTD2195L3

Spec. No. C654T3 Issued Date 2010.09.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 120V IC 4A BTD2195T3 VCE(SAT) 1.5V(max) Description The BTD2195T3 is designed for use in general purpose amplifier and low speed switching application. Pb-free lead plating package process is adopted. Equivalent Circuit Outline TO-126

 7.3. Size:291K  cystek
 btd2195j3.pdf pdf_icon

BTD2195L3

Spec. No. C654J3 Issued Date 2004.03.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.12.08 Page No. 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 120V IC 4A BTD2195J3 RCESAT 600m Description The BTD2195J3 is a NPN Darlington transistor, designed for use in general purpose amplifier and low speed switching application. RoHS compliant package process is adopted. Equiva

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTD2118T3, BTD2150A3, BTD2150AD3, BTD2150AM3, BTD2150FP, BTD2150L3, BTD2150N3, BTD2195J3, 2SD2499, BTD2195M3, BTD2195T3, BTD2444L3, BTD2444N3, BTD2444S3, BTD2498N3, BTD2510F3, BTD2568L3