Биполярный транзистор BTD2444L3 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BTD2444L3
Маркировка: D2444
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SOT-223
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BTD2444L3 Datasheet (PDF)
btd2444l3.pdf

Spec. No. : C223L3 Issued Date : 2011.01.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.03 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 20VIC 1ABTD2444L3 RCESAT 0.35(typ.) Features The BTD2444L3 is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35V (typ), at IC / IB = 1A / 50mA Com
btd2444n3.pdf

Spec. No. : C223N3 Issued Date : 2003.05.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.03 Page No. : 1/8 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2444N3 Features The BTD2444N3 is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typical), at IC / IB = 50mA / 2.5mA Complementary to BTB1590N3 Pb-f
btd2444s3.pdf

Spec. No. : C223S3-R Issued Date : 2005.06.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2010.10.03 Page No. : 1/8 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2444S3 Features The BTD2444S3 is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typical), at IC / IB = 50mA / 2.5mA Pb-free lead plating and halogen-fre
btd2498n3.pdf

Spec. No. : C899N3 Issued Date : 2009.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor Built-in Base Resistor BTD2498N3 Description High breakdown voltage. (BV =400V) CEO Low saturation voltage, typical V =0.13V at Ic/I =20mA/1mA. CE(sat) B Complementary to BTB1498N3 Pb-free package Equivalent
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: CZTA77 | 2SC354 | 2N3763S
History: CZTA77 | 2SC354 | 2N3763S



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor