BTD2444L3 - описание и поиск аналогов

 

BTD2444L3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTD2444L3

Маркировка: D2444

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для BTD2444L3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD2444L3 даташит

 ..1. Size:261K  cystek
 btd2444l3.pdf pdf_icon

BTD2444L3

Spec. No. C223L3 Issued Date 2011.01.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.03 Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 20V IC 1A BTD2444L3 RCESAT 0.35 (typ.) Features The BTD2444L3 is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35V (typ), at IC / IB = 1A / 50mA Com

 7.1. Size:275K  cystek
 btd2444n3.pdf pdf_icon

BTD2444L3

Spec. No. C223N3 Issued Date 2003.05.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.03 Page No. 1/8 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2444N3 Features The BTD2444N3 is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typical), at IC / IB = 50mA / 2.5mA Complementary to BTB1590N3 Pb-f

 7.2. Size:257K  cystek
 btd2444s3.pdf pdf_icon

BTD2444L3

Spec. No. C223S3-R Issued Date 2005.06.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.10.03 Page No. 1/8 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2444S3 Features The BTD2444S3 is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typical), at IC / IB = 50mA / 2.5mA Pb-free lead plating and halogen-fre

 9.1. Size:259K  cystek
 btd2498n3.pdf pdf_icon

BTD2444L3

Spec. No. C899N3 Issued Date 2009.12.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor Built-in Base Resistor BTD2498N3 Description High breakdown voltage. (BV =400V) CEO Low saturation voltage, typical V =0.13V at Ic/I =20mA/1mA. CE(sat) B Complementary to BTB1498N3 Pb-free package Equivalent

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTD2150AM3, BTD2150FP, BTD2150L3, BTD2150N3, BTD2195J3, BTD2195L3, BTD2195M3, BTD2195T3, 8550, BTD2444N3, BTD2444S3, BTD2498N3, BTD2510F3, BTD2568L3, BTD4512F3, BTD5213J3, BTD5213L3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.