Биполярный транзистор BTD2498N3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTD2498N3
Маркировка: DH
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для BTD2498N3
BTD2498N3 Datasheet (PDF)
btd2498n3.pdf
Spec. No. : C899N3 Issued Date : 2009.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor Built-in Base Resistor BTD2498N3 Description High breakdown voltage. (BV =400V) CEO Low saturation voltage, typical V =0.13V at Ic/I =20mA/1mA. CE(sat) B Complementary to BTB1498N3 Pb-free package Equivalent
btd2444n3.pdf
Spec. No. : C223N3 Issued Date : 2003.05.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.03 Page No. : 1/8 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2444N3 Features The BTD2444N3 is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typical), at IC / IB = 50mA / 2.5mA Complementary to BTB1590N3 Pb-f
btd2444s3.pdf
Spec. No. : C223S3-R Issued Date : 2005.06.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2010.10.03 Page No. : 1/8 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2444S3 Features The BTD2444S3 is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), VCE(sat)=40mV (typical), at IC / IB = 50mA / 2.5mA Pb-free lead plating and halogen-fre
btd2444l3.pdf
Spec. No. : C223L3 Issued Date : 2011.01.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.03 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 20VIC 1ABTD2444L3 RCESAT 0.35(typ.) Features The BTD2444L3 is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35V (typ), at IC / IB = 1A / 50mA Com
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
