Биполярный транзистор BTD5213M3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTD5213M3
Маркировка: DF
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-89
Аналоги (замена) для BTD5213M3
BTD5213M3 Datasheet (PDF)
btd5213m3.pdf
Spec. No. : C307M3 Issued Date : 2007.01.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.01.23 Page No. : 1/7 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD5213M3 Features High VCEO, VCEO=100V High IC, IC(DC)=1A Low VCE(sat) Good current gain linearity Complementary to BTB1260M3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTD5213M3 SOT
btd5213l3.pdf
Spec. No. : C304L3 Issued Date : 2007.05.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.07.28 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTD5213L3Description General purpose mainly intended for use in medium power industrial application and for audio amplifier output stage. Features High collector current and low V CE(SAT). Complement to BTB
btd5213j3.pdf
Spec. No. : C304J3 Issued Date : 2010.12.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.05.16 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTD5213J3Features Low collector saturation voltage High breakdown voltage, V =80V (min.) CEO High collector current, I =1A (DC) C(max) Pb-free lead plating package Symbol Outline TO-252(DPAK)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
