BTD5765B3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BTD5765B3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400
Корпус транзистора: TO-92SP
Аналоги (замена) для BTD5765B3
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BTD5765B3 даташит
btd5765b3.pdf
Spec. No. C852B3 Issued Date 2004.05.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.01.04 Page No. 1/5 Low VCE(sat) NPN Planar Transistor BTD5765B3 Features High current capability Low collector-to-emitter saturation voltage High allowable power dissipation Pb-free lead plating and halogen-free package Applications Relay drivers, lamp driver
Другие транзисторы: BTD2498N3, BTD2510F3, BTD2568L3, BTD4512F3, BTD5213J3, BTD5213L3, BTD5213M3, BTD5510F3, D209L, BTD5974B3, BTD6055J3, BTD6055M3, BTD7520J3, BTD7521E3, BTD7521H8, BTD7521J3, BTD8530F3
History: 2SA922-2 | BTD5213M3 | BTD1805AD3 | BTD1805BT3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet

