BTD6055J3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BTD6055J3  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: TO-252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BTD6055J3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD6055J3 даташит

 ..1. Size:235K  cystek
 btd6055j3.pdf pdf_icon

BTD6055J3

Spec. No. C659J3 Issued Date 2008.06.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD6055J3 Features Low VCE(SAT) Low RCE(SAT), RCE(SAT)=50 m (typically) at IC=5A Low operating collector voltage Excellent current gain characteristics at very low VCE Suitable for low dropout voltage applicati

 7.1. Size:236K  cystek
 btd6055m3.pdf pdf_icon

BTD6055J3

Spec. No. C659M3 Issued Date 2008.06.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 NPN Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTD6055M3 Features Low VCE(SAT) Low RCE(SAT), RCE(SAT)=50 m (typically) at IC=5A Low operating collector voltage Excellent current gain characteristics at very low VCE Suitable for low drop

Другие транзисторы: BTD2568L3, BTD4512F3, BTD5213J3, BTD5213L3, BTD5213M3, BTD5510F3, BTD5765B3, BTD5974B3, 2222A, BTD6055M3, BTD7520J3, BTD7521E3, BTD7521H8, BTD7521J3, BTD8530F3, BTD9065D3, BTN3A60T3