Биполярный транзистор BTD6055J3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTD6055J3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: TO-252
Аналоги (замена) для BTD6055J3
BTD6055J3 Datasheet (PDF)
btd6055j3.pdf
Spec. No. : C659J3 Issued Date : 2008.06.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD6055J3 Features Low VCE(SAT) Low RCE(SAT), RCE(SAT)=50 m(typically) at IC=5A Low operating collector voltage Excellent current gain characteristics at very low VCE Suitable for low dropout voltage applicati
btd6055m3.pdf
Spec. No. : C659M3 Issued Date : 2008.06.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 NPN Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTD6055M3Features Low VCE(SAT) Low RCE(SAT), RCE(SAT)=50 m(typically) at IC=5A Low operating collector voltage Excellent current gain characteristics at very low VCE Suitable for low drop
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2S125 | 2SC1884H
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050