Справочник транзисторов. BTD6055J3

 

Биполярный транзистор BTD6055J3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTD6055J3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: TO-252
 

 Аналог (замена) для BTD6055J3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD6055J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  cystek
 btd6055j3.pdf pdf_icon

BTD6055J3

Spec. No. : C659J3 Issued Date : 2008.06.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD6055J3 Features Low VCE(SAT) Low RCE(SAT), RCE(SAT)=50 m(typically) at IC=5A Low operating collector voltage Excellent current gain characteristics at very low VCE Suitable for low dropout voltage applicati

 7.1. Size:236K  cystek
 btd6055m3.pdf pdf_icon

BTD6055J3

Spec. No. : C659M3 Issued Date : 2008.06.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 NPN Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTD6055M3Features Low VCE(SAT) Low RCE(SAT), RCE(SAT)=50 m(typically) at IC=5A Low operating collector voltage Excellent current gain characteristics at very low VCE Suitable for low drop

Другие транзисторы... BTD2568L3 , BTD4512F3 , BTD5213J3 , BTD5213L3 , BTD5213M3 , BTD5510F3 , BTD5765B3 , BTD5974B3 , SS8050 , BTD6055M3 , BTD7520J3 , BTD7521E3 , BTD7521H8 , BTD7521J3 , BTD8530F3 , BTD9065D3 , BTN3A60T3 .

 

 
Back to Top

 


 
.