Справочник транзисторов. BTN3A60T3

 

Биполярный транзистор BTN3A60T3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BTN3A60T3
   Маркировка: 3A60
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO-126

 Аналоги (замена) для BTN3A60T3

 

 

BTN3A60T3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  cystek
 btn3a60t3.pdf

BTN3A60T3 BTN3A60T3

Spec. No. : C810T3 Issued Date : 2007.12.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/4 High Voltage NPN Triple Diffusion Planar Transistor BTN3A60T3 Features High breakdown voltage. (BV =700V) CEO High collector current capability (I =3A) C(max)Symbol Outline BTN3A60T3 TO-126 BBase CCollector EEmitter B C E Absolute Maximum Ratin

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 3DD3145A6

 

 
Back to Top