BTN3A60T3 - описание и поиск аналогов

 

BTN3A60T3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTN3A60T3

Маркировка: 3A60

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-126

 Аналоги (замена) для BTN3A60T3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTN3A60T3 даташит

 ..1. Size:134K  cystek
 btn3a60t3.pdf pdf_icon

BTN3A60T3

Spec. No. C810T3 Issued Date 2007.12.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/4 High Voltage NPN Triple Diffusion Planar Transistor BTN3A60T3 Features High breakdown voltage. (BV =700V) CEO High collector current capability (I =3A) C(max) Symbol Outline BTN3A60T3 TO-126 B Base C Collector E Emitter B C E Absolute Maximum Ratin

Другие транзисторы: BTD6055J3, BTD6055M3, BTD7520J3, BTD7521E3, BTD7521H8, BTD7521J3, BTD8530F3, BTD9065D3, 2SA1015, BTN853L3, BTN1053A3, BTN1053I3, BTN1053K3, BTN1053L3, BTN1053M3, BTN1101E3, BTN2222A3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.