Биполярный транзистор BTNA45A3 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BTNA45A3
Маркировка: NA45
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO-92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BTNA45A3 Datasheet (PDF)
btna45a3.pdf

Spec. No. : C241A3 Issued Date : 2011.06.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.22 Page No. : 1/7 NPN High Voltage Planar Transistor BVCEO 500VIC 150mABTNA45A3VCESAT 150mV (max)Description High breakdown voltage. (BV =500V) CEO Low collector-emitter saturation voltage V . CESAT High collector current capability I and I . C CM High coll
btna45n3.pdf

Spec. No. : C241N3 Issued Date : 2011.06.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 NPN High Voltage Planar Transistor BVCEO 500VIC 150mABTNA45N3 VCESAT 150mV (max)Features High breakdown voltage. (BV =500V) CEO Low collector-emitter saturation voltage V . CESAT High collector current capability I and I . C CM High collector current
btna44m3.pdf

Spec. No. : C211M3 Issued Date : 2013.05.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.05 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTNA44M3 Features High breakdown voltage. (BV = 400V) CEO Low saturation voltage, typically V C BCE(sat) = 60mV at I /I =10mA/1mA. Complementary to BTPA94M3 Symbol Outline BTNA44M3 SOT-89 BBase
btna44a3.pdf

Spec. No. : C211A3 Issued Date : 2003.03.026 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.11.20 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTNA44A3 Features High breakdown voltage. (BV =400V) CEO Low saturation voltage, typically V (sat) =60mV at I /I 10mA/1mA. CE C B= Complementary to BTPA94A3 Pb-free lead plating and halogen-free packag
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: JA100R | 2SC552 | MPS6532 | KTC3226 | DTA115EUAFRA | BCY65EP-8
History: JA100R | 2SC552 | MPS6532 | KTC3226 | DTA115EUAFRA | BCY65EP-8



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175