Биполярный транзистор BTNA45N3
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTNA45N3
Маркировка: LK
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора:
SOT-23
Аналоги (замена) для BTNA45N3
BTNA45N3
Datasheet (PDF)
..1. Size:254K cystek
btna45n3.pdf 
Spec. No. : C241N3 Issued Date : 2011.06.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 NPN High Voltage Planar Transistor BVCEO 500VIC 150mABTNA45N3 VCESAT 150mV (max)Features High breakdown voltage. (BV =500V) CEO Low collector-emitter saturation voltage V . CESAT High collector current capability I and I . C CM High collector current
8.1. Size:265K cystek
btna45a3.pdf 
Spec. No. : C241A3 Issued Date : 2011.06.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.22 Page No. : 1/7 NPN High Voltage Planar Transistor BVCEO 500VIC 150mABTNA45A3VCESAT 150mV (max)Description High breakdown voltage. (BV =500V) CEO Low collector-emitter saturation voltage V . CESAT High collector current capability I and I . C CM High coll
9.1. Size:234K cystek
btna44m3.pdf 
Spec. No. : C211M3 Issued Date : 2013.05.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.05 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTNA44M3 Features High breakdown voltage. (BV = 400V) CEO Low saturation voltage, typically V C BCE(sat) = 60mV at I /I =10mA/1mA. Complementary to BTPA94M3 Symbol Outline BTNA44M3 SOT-89 BBase
9.2. Size:243K cystek
btna44a3.pdf 
Spec. No. : C211A3 Issued Date : 2003.03.026 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.11.20 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTNA44A3 Features High breakdown voltage. (BV =400V) CEO Low saturation voltage, typically V (sat) =60mV at I /I 10mA/1mA. CE C B= Complementary to BTPA94A3 Pb-free lead plating and halogen-free packag
9.3. Size:255K cystek
btna44n3.pdf 
Spec. No. : C210N3-H Issued Date : 2003.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.07.14 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 400VIC 300mABTNA44N3 RCESAT(typ.) 10 Features High breakdown voltage. (BV =400V) CEO Low saturation voltage, typically V C B CE(sat) = 0.1V at I /I =10mA/1mA. Complementary to BTPA94N3
9.4. Size:242K cystek
btna42a3.pdf 
Spec. No. : C209A3-H Issued Date : 2003.03.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.06 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTNA42A3Description High breakdown voltage. (BV =300V) CEO Low collector output capacitance. (Typ. 3pF at V =30V) CB Ideal for chroma circuit. Pb-free lead plating and halogen-free package Symbo
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.
