BTP1955L3 - описание и поиск аналогов

 

BTP1955L3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTP1955L3

Маркировка: 1955

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для BTP1955L3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTP1955L3 даташит

 ..1. Size:257K  cystek
 btp1955l3.pdf pdf_icon

BTP1955L3

Spec. No. C811L3 Issued Date 2007.09.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.09.23 Page No. 1/6 PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTP1955L3 Features 4 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current Very low saturation voltage Excellent gain characteristics specified up to 3 Amps Ptot=3Watts Extreme

Другие транзисторы: BTNA45N3, BTNH10A3, BTNH10N3, BTP949L3, BTP953L3, BTP955J3, BTP955L3, BTP955M3, BC557, BTP2014L3, BTP2907A3, BTP2907AL3, BTP2907AN3, BTP2907SL3, BTP3906A3, BTP3906N3, BTP5401A3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.