BTP2014L3 - описание и поиск аналогов

 

BTP2014L3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTP2014L3

Маркировка: P2014

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 31 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для BTP2014L3

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTP2014L3 даташит

 ..1. Size:285K  cystek
 btp2014l3.pdf pdf_icon

BTP2014L3

Spec. No. C624L3 Issued Date 2013.04.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTP2014L3 Features 4 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current Very low saturation voltage Extremely low equivalent on resistance, R =79m typ. at 3A CE(SAT) Pb-free lead plating and

Другие транзисторы... BTNH10A3 , BTNH10N3 , BTP949L3 , BTP953L3 , BTP955J3 , BTP955L3 , BTP955M3 , BTP1955L3 , TIP42C , BTP2907A3 , BTP2907AL3 , BTP2907AN3 , BTP2907SL3 , BTP3906A3 , BTP3906N3 , BTP5401A3 , BTP8550A3 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.