Биполярный транзистор BTP2014L3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTP2014L3
Маркировка: P2014
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 31 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-223
Аналоги (замена) для BTP2014L3
BTP2014L3 Datasheet (PDF)
..1. Size:285K cystek
btp2014l3.pdf
btp2014l3.pdf
Spec. No. : C624L3 Issued Date : 2013.04.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTP2014L3Features 4 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current Very low saturation voltage Extremely low equivalent on resistance, R =79m typ. at 3A CE(SAT) Pb-free lead plating and
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
