Биполярный транзистор 2N6436 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N6436
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 700 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
2N6436 Datasheet (PDF)
2n6436 2n6437 2n6438.pdf
Order this documentMOTOROLAby 2N6436/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA2N6436High-Power PNP Silicon2N6437Transistors2N6438*. . . designed for use in industrialmilitary power amplifier and switching circuit*Motorola Preferred Deviceapplications. High CollectorEmitter Sustaining Voltage 25 AMPEREVCEO(sus) = 80 Vdc (Min) 2N6436POWER TRANSISTORSVCEO(sus)
2n6436 2n6437 2n6438.pdf
ABoca Semiconductor Corp BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp BSC http://www.bocasemi.com
2n6436 2n6437 2n6438.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6436 2N6437 2N6438 DESCRIPTION With TO-3 package High DC current gain Fast switching times Low collector saturation voltage Complement to type 2N6338~2N6341 APPLICATIONS For use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPT
2n6439re.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N6439/DThe RF LineNPN Silicon2N6439RF Power Transistor. . . designed primarily for wideband largesignal output amplifier stages in the225 to 400 MHz frequency range. Guaranteed Performance in 225 to 400 MHz Broadband Amplifier @ 28 VdcOutput Power = 60 Watts over 225 to 400 MHz Band60 W, 225 to 400 MHzMin
2n6430 2n6431 2n6432 2n6433.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
2n6439.pdf
Order this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N6439/DThe RF LineNPN Silicon2N6439RF Power Transistor. . . designed primarily for wideband largesignal output amplifier stages in the225 to 400 MHz frequency range. Guaranteed Performance in 225 to 400 MHz Broadband Amplifier @ 28 VdcOutput Power = 60 Watts over 225 to 400 MHz Band60 W, 225 to 400 MHzMinimum Gain
2n6430 31.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON TRANSISTORS 2N6430, 6431TO-18Metal Can PackageGeneral Purpose Transistors.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL 2N6430 2N6431 UNITVCEOCollector Emitter Voltage 200 300 VVCBOCollector Base Voltage 200 300 VVEBOEmitter Base Volta
Другие транзисторы... 2N6428A , 2N6429 , 2N6429A , 2N643 , 2N6430 , 2N6431 , 2N6432 , 2N6433 , 2N3906 , 2N6436A , 2N6437 , 2N6437A , 2N6438 , 2N6438A , 2N6439 , 2N644 , 2N6441 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050