Биполярный транзистор BTPA92A3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTPA92A3
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO-92
BTPA92A3 Datasheet (PDF)
btpa92a3.pdf
Spec. No. : C308A3 Issued Date : 2003.06.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.06 Page No. : 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTPA92A3Description High breakdown voltage. (BV =-300V) CEO Low collector output capacitance. Ideal for chroma circuit. Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTPA92A3 TO-
btpa94n3.pdf
Spec. No. : C309N3-H Issued Date : 2003.06.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.17 Page No. : 1/6 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -400VIC -0.15AVCESAT(max) -0.3VBTPA94N3Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typically V = -0.07V at Ic/I =-10mA/-1mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation a
btpa94a3.pdf
Spec. No. : C309A3 Issued Date : 2003.06.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/4 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BTPA94A3Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typically V = -0.07V at Ic/I =-10mA/-1mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area). Complementary to BTNA44A3. Symbol Outline
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
